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苏大维格:预期今年底完成一台110英寸微图形光刻直写设备和配套光刻设施

微纳3D形貌不仅极难加工,而且数据量极大、耗时极长,包括电子束光刻在内,在大面积上制备3D形貌都是国际难题,纳米结构越精细,光刻效率越低。

苏大维格发明了一种高效微纳结?#20849;?#34892;直写方法。用数字光场调控与脉冲叠加曝光方法,将海量数据光电转换成微纳3D形貌。发明了“多台阶二元光学数字光场叠加写入模式”和“灰度数字模板”,通过光场灰度调控与积分写入,使得微纳3D形貌的直写效率提高了(2N/N)倍。攻克了“海量数据设计→微纳结构光场→3D形貌”纳米制造领域的重大难题。横向数字?#30452;?#29575;100nm,3D形貌0-50μm,数据处理能力达40Tb。

图1 微纳3D直写光机结构与设备(70吋)、3D形貌形成示意图

十二五期间,在“国家重大863计划”和“国家重大科学仪器设备开发专项”的支持下,公司成功研发了70吋幅面的微纳3D直写光刻设备。该设备支持在翘曲大面积基片上3D结构图形直写,能够在陶瓷衬底深孔台阶上制备MEMS电极、能制备薄膜透镜变梯度结构。该设备为柔性电子、薄膜透镜、柔性照明材料提供了先进手段。

图2微纳3D形貌SEM照片

下一步,公司将在此基础上?#20013;?#25237;入研发,预计2019年年底完成一台110英寸微图形光刻直写设备和配套光刻设施。该设备可配套大尺寸透明导电薄膜和电容触控屏产线建设。该设备研制成功后,可在110吋大幅面光刻胶上进行微图形直写,将为大尺寸透明导电薄膜和电容触控屏产线的全尺寸建设提供强有力的支撑!

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